東京大学大学院 新領域創成科学研究科 物質系専攻
大学院受験 (修士・博士課程)を考えている皆様へ
電子間のクーロン相互作用がその電子状態を支配する“強相関電子系”や、電子の運動が一次元あるいは二次元に閉じ込められる“低次元電子系”には、その強い電子相関や電子構造の低次元性に起因する“光だけを使った超高速スイッチ”、“光照射による高速電子相変化”など、通常の半導体では実現できない新奇なフォトニクス機能を実現できる可能性が秘められている。
本研究室では、自ら開発した紫外からテラヘルツ領域に渡る最先端のレーザー分光法を用いることによって、様々な強相関電子系物質や低次元電子系物質 (遷移金属酸化物、遷移金属錯体、有機分子性結晶、グラフェン等)における新しいフォトニクス機能の開拓とその物理的機構の解明を行っている。
当研究室の研究内容や大学院生のメッセージも参照下さい。(PDF版はこちら)
入試情報
新領域創成科学研究科物質系専攻より修士・博士課程の学生を受け入れています。
2023年度 新領域創成科学研究科の入試情報 (募集要項、過去の入試問題の入手方法など) は、
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新領域創成科学研究科物質系専攻入試説明会を、オンラインで行っています。
日時・会場・参加方法は、こちらをご覧ください。
連絡先
随時研究室見学・進路相談いつでも歓迎します!!
岡本 博 教授 (okamotoh@k.u-tokyo.ac.jp)
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